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受政策鼓勵與市場需求的雙重驅動，多家企業正在中國積極布局半導體大硅片項目。截至2018年10月，亞化咨詢梳理了6個重點項目的進展與詳情。
杭州中芯晶圓大尺寸硅片項目
10月8日上午，總投資達10億美元的杭州中芯晶圓大尺寸硅片項目正式完成主體結構封頂工作。接下來，工廠馬上將進入裝飾裝修、機電設備安裝等施工階段，預計年內可完成土建施工，并于2019年4月投產。
杭州中芯晶圓半導體股份有限公司由日本株式會社Ferrotec Holdings、杭州大和熱磁電子有限公司、上海申和熱磁電子有限公司合資建立，位于杭州大江東產業集聚區，注冊資本29億元，占地13.34多萬平方米，廠房面積約15萬平方米。
該項目擬建設3條8英寸（200mm）、2條12英寸（300mm）半導體硅片生產線，預計全部達產后，將達到8英寸年產540萬片、12英寸年產288萬片半導體硅片的生產能力。建成后，8英寸硅片生產線將成為目前國內規模最大、技術最成熟的生產線，12英寸硅片生產線則將成為國內首條實現量產的生產線。
金瑞泓120萬片每年8英寸外延片項目
金瑞泓科技（衢州）有限公司投資70418萬元，在衢州市綠色產業集聚區新增土地約100畝，新建廠房及配套設施。項目分期實施，一期實施60萬片/年外延片生產線，其中原料拋光片外購，不自行生產；二期實施60萬片/年外延片生產線，其中原料拋光片（含一期）自行生產，原材料為重摻磷直拉硅單晶錠。
主要設備：外延爐5臺、硅片清洗機1臺、片盒清洗機1臺、鐘罩清洗機1臺、單晶爐30臺、化腐清洗機5臺、切斷機2臺、滾圓機2臺、線切割7臺、切片清洗機1臺、倒角機5臺、磨片機2臺、磨片清洗機1臺、酸腐蝕機1臺、噴砂機1臺、噴砂清洗機1臺、熱處理爐3臺、SiO2邊緣剝離機1臺、自動清洗機1臺、邊緣拋光機1臺、拋光機2臺、一次清洗機1臺、片盒清洗機1臺、最終清洗機1臺等。
項目優勢：
1.建立了完善的單晶爐熱場設計理論和大直徑硅單晶生長理論，掌握了8英寸低cop和無cop完美單晶生長技術。本項目原材料為重摻磷直拉硅單晶錠。
2.掌握了高平整度8英寸硅片拋光技術、高潔凈度硅片清洗技術和缺陷工程技術，硅片幾何參數和表面顆粒指標達到了8英寸集成電路的高標準，其中主要指標：SFQR＜0.13um，TTV＜1.5um。
3.掌握了8英寸大直徑硅片外延技術，在大直徑硅片條件下實現高厚度、高電阻率均勻性要求和熱應力控制（滑移線）。掌握了電阻率小于0.004Ωcm的8英寸重摻硼襯底無失配（misfit）外延技術，這項技術具有世界領先的技術水平。
4.硅外延生產線引進意大利進口生產線，在國際上屬于先進水平，并且擁有與之配套的氫氣純化、硅源溫度控制、尾氣處理、高純氣體輸送等輔助設備。
5.檢測、分析方面，配置先進的汞探針測試儀、紅外測試儀、無損傷少子壽命測試儀、四探針測試儀、硅表面顆粒掃描儀等。
6.物料的輸送均采用密閉系統，DSC集中控制。
上海新昇12英寸硅片項目
上海新昇半導體科技有限公司12英寸大硅片項目位于上海浦東新區臨港重裝備園區，一期項目投資18億元，設計產能為15萬片/月的12英寸硅片，預計全年電子級多晶硅使用量為450噸，目前已經投產。
項目優勢：
1.本項目所使用的技術均來自上海新昇開發的技術以及引進部分關鍵核心技術，在生產設備與機臺的選型上采用具有國際或國內先進水平的高效低耗的設備，以降低能耗。
2.上海新昇將設立專職的研發部門，分別為前后段的工藝、設備、品管和產品優良率從事研究和開發工作。
3.上海新昇與韓國的S公司和美國的K公司達成協議，三方組成研發團隊，共同為本公司的各種拉晶爐進行不斷的研發與改進。同時上海新昇的研發團隊還將對“回火爐和表面處理爐”等關鍵技術和設備繼續研發。
目前該項目已經投產，產品已經通過了華力微電子的認證，中芯國際等企業的認證仍在進行中。
西安奕斯偉硅產業基地項目
西安奕斯偉硅片技術有限公司成立于2018年2月，是奕斯偉科技有限公司（ESWIN）在西安成立的硅材料制造公司。該項目投資30億元，地點位于長安通訊產業園區，設計產能為5萬片/月的12英寸硅片。從開工到投產運營預計共21個月，于2020年6月投產。
項目優勢：
1.拉晶方面將優選具有最佳直徑控制系統和生長系統的拉晶爐，配備32寸的熱場，通過加載超導磁場控制熔體對流，拉直無錯位的單晶硅棒。
2.硅片加工技術采用目前業內最先進的切片設備，保證硅片的切制品質，配置德國的拋光設備，保證硅片表面的幾何結構達到先進納米制程的需求。
3.在清洗設備的選擇上，將選擇最佳的日本清洗設備，配置最高等的潔凈間設計、動力供給和生產管控，去除硅片表面殘留的顆粒。
4.外延工序，優選最佳的美國外延設備，該設備能有效降低外延生長過程中原子間的滑移，確保外延片的質量。
鄭州合晶硅片項目
鄭州合晶硅材料有限公司成立于2017年2月，是由臺灣合晶科技集團下屬的上海合晶硅材料有限公司和上海晶盟硅材料有限公司共同出資組建，投資12億元在鄭州航空港經濟綜合實驗區建設年產240萬片200mm硅單晶拋光片生產項目。臺灣合晶科技集團公司是全球第七大硅片供應商，也是全球前三的低阻重摻硅片供應商，致力于半導體硅片產業已有20余年。
本項目設計生產200mm輕摻硅單晶拋光片（輕摻硼、輕摻磷）120萬片/年；200mm重摻硅單晶拋光片（重摻硼、重摻磷、重摻砷、重摻銻）120萬片/年，每年約消耗300萬噸電子級多晶硅。
項目優勢：
1.采用先進的直拉法長晶技術，長晶條件穩定，可得到電阻率及摻質分布均勻的優質單晶。
2.應用先進的液體覆蓋直拉技術，即在晶體生長室內充入惰性氣體，使其壓力大于熔體的分解壓力，以抑制熔體中揮發性組元的蒸發損失。
3.使用清潔的面清洗電子級多晶硅原料，從源頭上減少污染物的產生。
4.采用先進的切、磨、拋和潔凈封裝工藝，保證產品質量和優良的性能指標。
5.本次工程中的長晶爐、坩堝、石墨加熱器、線切割機/鋼線、研磨機及配套組件均選用國外先進生產設備。
6.采用節能設備降低能耗，并使用自控技術方案，提高了生產自動化水平。
安徽易芯年產160萬片12英寸半導體硅片項目
安徽易芯半導體公司年產160萬片12英寸半導體硅片項目，地點位于合肥市新站區佳海工業園，一期項目總投資8900萬元建設年產96噸12英寸半導體級單晶硅棒，每年約消耗97.2噸電子級多晶硅。
項目優勢：
1.本項目所使用的技術均來自安徽易芯開發的技術以及引進部分關鍵核心技術，在生產設備與機臺的選型上采用具有國際或國內先進水平的高效低耗的設備，以降低能耗。
2.一期項目單晶硅棒生產過程中使用的原料主要為免洗多晶硅，輔料有母合金（主要成分為硅），符合清潔生產要求。